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BD139-10

BD139-10 - 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 12.5 W, 1.5 A, 63 hFE

The BD139-10 is a NPN Transistor with 80V collector-emitter voltage and 12.5W power dissipation. ·Collector-base voltage(Vcbo = 100V)\n·Emitter-base voltage(Vebo = 5V);

Multicomp

易络盟

BD139-10

Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TO-126

NJS

NJS

BD139-10

80V,1.5A,1.25W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch

Central

BD139-10

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1.5A SOT32

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BD139-10-BP

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1.5A TO126

Micro Commercial Co

Micro Commercial Co

产品属性

  • 产品编号:

    BD139-10

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-32

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1.5A SOT32

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STM
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SOT-32-3 (TO-126-3)
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ST(意法半导体)
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SOT-32
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更多BD139-10供应商 更新时间2025-12-16 17:30:00