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BFG135分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

BFG135

参数属性

BFG135 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4

功能描述

NPN 7GHz wideband transistor

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

340.68 Kbytes

页面数量

16

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2026-2-8 23:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BFG135A(A)

  • 别名:

    BFG135三极管、BFG135晶体管、BFG135晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    超高频/特高频 (UHF)_微波 (MW)

  • 封装形式:

  • 极限工作电压:

    15V

  • 最大电流允许值:

    0.15A

  • 最大工作频率:

    5.9GHZ

  • 引脚数:

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    NO

  • vtest:

    15

  • htest:

    5900000000

  • atest:

    0.15

  • wtest:

    1

产品属性

  • 产品编号:

    BFG135AE6327XT

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 频率 - 跃迁:

    6GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    9dB ~ 14dB

  • 功率 - 最大值:

    1W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 100mA,8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT223-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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