BD135中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
BD135 |
| 参数属性 | BD135 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 45V 1.5A TO126 |
| 功能描述 | Silicon NPN Power Transistor |
| 文件大小 |
186.38 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-26 16:28:00 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BD135三极管、BD135晶体管、BD135晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
45V
- 最大电流允许值：
1.5A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD165,BD175,BD226,BD233,BD437,3DA1B,
- 最大耗散功率：
12.5W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
45
- htest：
999900
- atest：
1.5
- wtest：
12.5
产品属性
- 产品编号：
BD135
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN 45V 1.5A TO126
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
N/A |
589610 |
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询价 | ||
NXP/恩智浦 |
TO-126 |
265209 |
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ST |
TO126 |
12500 |
16 |
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ST |
22+ |
TO220 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
SOT-32-3 |
10000 |
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ST/意法 |
24+ |
SOT-32-3 |
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ST/意法 |
2122+ |
TO-126 |
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ST/进口原 |
17+ |
TO-126 |
6200 |
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TO126 |
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ST |
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SOT-32 |
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