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深圳市米数科技有限公司

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BD135

BD135

STSOT-32(TO

12880

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原装,诚信经营

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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BD135

BD135

STN/A

70000

2025+

柒号只做原装 现货价秒杀全网

深圳市盈慧通电子有限公司

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BD13516STU

ON(安森美)

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2511

电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价

深圳市科恒伟业电子有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-126F

9850

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只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市星宇佳科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-126F

1432

05+12+

原装进口无铅现货

深圳市芯球通科技有限公司

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ON(安森美)

12845

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公司只做原装正品,假一赔十

深圳市河锋鑫科技有限公司

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ST/意法TO-126

31518

17+

原装正品 可含税交易

深圳市星宇佳科技有限公司

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BD135

STMSOT-32-3 (TO-126-3)

7750

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深圳市科芯源微电子有限公司

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ST/意法TO220

65428

2026+

百分百原装现货 实单必成

千层芯半导体(深圳)有限公司

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STTO-220

10000

24+

原装现货热卖

嘉宏桦电子(深圳)有限公司

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ST/意法半导体SOT-32-3

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原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单

深圳市科恒伟业电子有限公司

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CJ/长电

4580

2550+

只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市芯亿发电子科技有限公司

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ST/意法半导体SOT-32-3

20000

25+

公司只有正品,实单可谈

深圳市达恩科技有限公司

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STMicroelectronicsNA

3551

24+

进口原装正品优势供应

深圳市创新迹电子有限公司

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STMTO126

20000

22+

公司只有原装 品质保证

深圳市科恒伟业电子有限公司

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恩XPTO126

8850

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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

深圳市昌和盛利电子有限公司

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PHITO-126

12300

26+

代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市富达微科技有限公司

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ST/意法半导体SOT-32-3

16900

24+

原厂原装,价格优势,欢迎洽谈!

深圳市米数科技有限公司

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ST(意法)SOT-32

5321

25+

中天科工半导体(深圳)有限公司

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PHITO-126

38900

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

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BD135 全新原装 源思创电子

深圳市源思创电子有限公司 范小姐 0755-82529786/83204498 13723462788

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BD135功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Audio Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD13510S功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD13510STU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD135-16功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silicon Trnsistr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD13516S功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD13516STU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD135-25功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126

BD135-6制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS

BD1356S功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD1356STU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号:

    BD135

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS NPN 45V 1.5A TO126