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C52	文件：608.8 Kbytes Page：24 Pages	型号：OPA2652ESLASH250；Package：SOT-23；Dual, 700MHz, Voltage-Feedback OPERATIONAL AMPLIFIER FEATURES ·WIDEBANDBUFFER:700MHz,G=+1 ·WIDEBANDLINEDRIVER:200MHz,G=+2 ·HIGHOUTPUTCURRENT:140mA ·LOWSUPPLYCURRENT:5.5mA/Ch ·ULTRA-SMALLPACKAGE:SOT23-8 ·LOWdG/df:0.05%/0.03° ·HIGHSLEWRATE:335V/msec ·SUPPLYVOLTAGE:±3Vto±6V APPLICATIONS ·A/DDRIVERS	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
C52	文件：608.8 Kbytes Page：24 Pages	型号：OPA2652ESLASH250.A；Package：SOT-23；Dual, 700MHz, Voltage-Feedback OPERATIONAL AMPLIFIER FEATURES ·WIDEBANDBUFFER:700MHz,G=+1 ·WIDEBANDLINEDRIVER:200MHz,G=+2 ·HIGHOUTPUTCURRENT:140mA ·LOWSUPPLYCURRENT:5.5mA/Ch ·ULTRA-SMALLPACKAGE:SOT23-8 ·LOWdG/df:0.05%/0.03° ·HIGHSLEWRATE:335V/msec ·SUPPLYVOLTAGE:±3Vto±6V APPLICATIONS ·A/DDRIVERS	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
C52	文件：608.8 Kbytes Page：24 Pages	型号：OPA2652ESLASH3K；Package：SOT-23；Dual, 700MHz, Voltage-Feedback OPERATIONAL AMPLIFIER FEATURES ·WIDEBANDBUFFER:700MHz,G=+1 ·WIDEBANDLINEDRIVER:200MHz,G=+2 ·HIGHOUTPUTCURRENT:140mA ·LOWSUPPLYCURRENT:5.5mA/Ch ·ULTRA-SMALLPACKAGE:SOT23-8 ·LOWdG/df:0.05%/0.03° ·HIGHSLEWRATE:335V/msec ·SUPPLYVOLTAGE:±3Vto±6V APPLICATIONS ·A/DDRIVERS	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
C52	文件：608.8 Kbytes Page：24 Pages	型号：OPA2652ESLASH3K.A；Package：SOT-23；Dual, 700MHz, Voltage-Feedback OPERATIONAL AMPLIFIER FEATURES ·WIDEBANDBUFFER:700MHz,G=+1 ·WIDEBANDLINEDRIVER:200MHz,G=+2 ·HIGHOUTPUTCURRENT:140mA ·LOWSUPPLYCURRENT:5.5mA/Ch ·ULTRA-SMALLPACKAGE:SOT23-8 ·LOWdG/df:0.05%/0.03° ·HIGHSLEWRATE:335V/msec ·SUPPLYVOLTAGE:±3Vto±6V APPLICATIONS ·A/DDRIVERS	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
C5200O	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	型号：2SC5200OTU；Package：TO-264；NPN Epitaxial Silicon Transistor Features •HighCurrentCapability:IC=17A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1943/FJL4215. •ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
C5200R	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	型号：2SC5200RTU；Package：TO-264；NPN Epitaxial Silicon Transistor Features •HighCurrentCapability:IC=17A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1943/FJL4215. •ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
C5242	文件：150.92 Kbytes Page：2 Pages	型号：2SC5242；NPN TRIPLE DIFFUSED(FOR POWER AMPLIFIER APLLICATIONS) PowerAmplifierApplications •HighCollectorbreakdownvoltage:VCEO=230V(min) •Complementaryto2SA1962 •Suitablefrousein80-Whighfidelityaudioamplifier’soutputstage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
C5242O	文件：475.12 Kbytes Page：8 Pages	型号：2SC5242OTU；Package：TO-3P；NPN Epitaxial Silicon Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
C5242R	文件：475.12 Kbytes Page：8 Pages	型号：2SC5242RTU；Package：TO-3P；NPN Epitaxial Silicon Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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