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C4D08120A	文件：617.27 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 1.2kV Schottky Rectifier Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：617.27 Kbytes 页数：5 Pages	Cree 科锐	Cree
C4D08120A	文件：1.19708 Mbytes Page：9 Pages	4th Generation 1200 V, 8 A Silicon Carbide Schottky Diode Description With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to m 文件：1.19708 Mbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C4D08120E	文件：643.1 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：643.1 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C4D10120A	文件：752.42 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：752.42 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C4D10120A	文件：1.17647 Mbytes Page：9 Pages	4th Generation 1200 V, 10 A Silicon Carbide Schottky Diode Description With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to m 文件：1.17647 Mbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C4D10120D	文件：794.57 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 1.2kV Schottky Rectifier Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：794.57 Kbytes 页数：5 Pages	Cree 科锐	Cree
C4D10120D	文件：311.48 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode FEATURES · High-Frequency Operation · Positive Temperature Coefficient · Extremely Fast Switching · No reverse recovery APPLICATIONS · AC/DC converters · Power factor correction · Switch mode power supply 文件：311.48 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
C4D10120E	文件：309.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode FEATURES · High surge current capability · Positive Temperature Coefficient · Extremely Fast Switching · No reverse recovery APPLICATIONS · Solar inverter · Power factor correction · Switch mode power supply 文件：309.87 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
C4D10120E	文件：645.61 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：645.61 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C4D10120H	文件：669.85 Kbytes Page：9 Pages	4th Generation 1200 V, 10 A Silicon Carbide Schottky Diode Description With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to m 文件：669.85 Kbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED

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技术参数

引脚样式：
焊片
额定电压(AC)：
125V
额定电压(DC)：
28V
切换角度：
30°
层数：
1
每层极数：
1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒创达实业有限公司	C4D20120A	CREE	17+	TO-220-2	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市正迈科技有限公司	C4D10120A	CREE全系列可接受订货	23+	CREE全系列可接受订货	9808	原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	C4D02120E	CREE	23+	TO-252	20000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	C4D05120A	CREE	1651+	TO-220AC	8500	只做原装进口,假一罚十	询价
上海金庆电子技术有限公司	C4D1204N-A	ElectroswitchInc.	新		41	全新原装货期两周	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	C4D30120D	CREE	24+	SMD	5500	长期供应原装现货实单可谈	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	C4D10120A	CREESCS220KG	25+23+	TO220-2	19791	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳诚思涵科技有限公司	C4D10120D	CREE	18+	TO247	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
深圳市福田区绿盛电子商行	C4D10120D	CreeInc	2018+	TO-247	26976	代理原装现货/特价热卖!	询价
深圳市宝芯创电子有限公司	C4D20120D	CREE	18+	TO-247	29380	进口原装现货	询价

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