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C4D10120H	文件：669.85 Kbytes Page：9 Pages	4th Generation 1200 V, 10 A Silicon Carbide Schottky Diode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C4D10120H	文件：743.52 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec Rectifier	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
C4D10120H	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-247-2 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：ZRECTM 10A 1200V SIC SCHOTTKY DI	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
ADC4D10120A	文件：234.81 Kbytes Page：5 Pages	1200-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableV FandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
ADC4D10120D	文件：319.09 Kbytes Page：5 Pages	1200-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableV FandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
ADC4D10120E	文件：310.34 Kbytes Page：3 Pages	1200-VDirectWGBDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableVFandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
ADC4D10120H	文件：234.5 Kbytes Page：5 Pages	1200-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableV FandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
C4D10120A	文件：752.42 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
C4D10120A	文件：1.17647 Mbytes Page：9 Pages	4thGeneration1200V,10ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C4D10120D	文件：929.91 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiodeZ-Rec®Rectifier Features •1.2kVSchottkyRectifier •ZeroReverseRecoveryCurrent •High-FrequencyOperation •Temperature-IndependentSwitching •ExtremelyFastSwitching Benefits •ReplaceBipolarwithUnipolarRectifiers •EssentiallyNoSwitchingLosses •HigherEfficiency •ReductionofHeatSink	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C4D10120D	文件：794.57 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode1.2kVSchottkyRectifier Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
C4D10120E	文件：887.73 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiodeZ-Rec®Rectifier Features •1.2kVSchottkyRectifier •ZeroReverseRecoveryCurrent •High-FrequencyOperation •Temperature-IndependentSwitchingBehavior •ExtremelyFastSwitching •PositiveTemperatureCoefficientonVF Benefits •ReplaceBipolarwithUnipolarRectifiers •EssentiallyNoSwitchingLo	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C4D10120E	文件：645.61 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
E4D10120A	文件：603.87 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiodeE-SeriesAutomotive	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
E4D10120A	文件：1.62613 Mbytes Page：9 Pages	E-SeriesAutomotive4thGeneration1200V,10ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED

产品属性

产品编号：
C4D10120H
制造商：
Wolfspeed, Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Z-Rec®
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
31.5A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
754pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-2
供应商器件封装：
TO-247-2
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
ZRECTM 10A 1200V SIC SCHOTTKY DI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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