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C4D10120H	文件：743.52 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C4D10120；Package：TO-247-2；Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec Rectifier 文件：743.52 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C4D15120H	文件：804.16 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C4D15120；Package：TO-247-2；Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec Rectifier 文件：804.16 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C4D20120H	文件：679.24 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C4D20120；Package：TO-247-2；Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec Rectifier 文件：679.24 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C4D02120A	文件：550.65 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：550.65 Kbytes 页数：5 Pages	Cree 科锐	Cree
C4D02120A	文件：1.28006 Mbytes Page：9 Pages	4th Generation 1200 V, 2 A Silicon Carbide Schottky Diode Description With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to m 文件：1.28006 Mbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C4D02120E	文件：680.15 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：680.15 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C4D05120A	文件：553.08 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 1.2kV Schottky Rectifier Features • 1.2kV Schottky Rectifier • Zero Reverse Recovery Current • High-Frequency Operation • Temperature-Independent Switching • Extremely Fast Swtitching Benefits • Replace Bipolar with Unipolar Rectifiers • Essentially No Switching Losses • Higher Efficiency • 文件：553.08 Kbytes 页数：5 Pages	Cree 科锐	Cree
C4D05120A	文件：392.07 Kbytes Page：2 Pages	SiC Schottky Barrier Diode FEATURES · 1.2kV Schottky Rectifier · Extremely Fast Switching · High-Frequency Operation APPLICATIONS · Switch Mode Power Supplies · Motor Drives · DC-DC Converters 文件：392.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
C4D05120A	文件：1.16566 Mbytes Page：9 Pages	4th Generation 1200 V, 5 A Silicon Carbide Schottky Diode Description With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to m 文件：1.16566 Mbytes 页数：9 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C4D05120E	文件：695 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：695 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree

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技术参数

引脚样式：
焊片
额定电压(AC)：
125V
额定电压(DC)：
28V
切换角度：
30°
层数：
1
每层极数：
1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒创达实业有限公司	C4D20120A	CREE	17+	TO-220-2	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市正迈科技有限公司	C4D10120A	CREE全系列可接受订货	23+	CREE全系列可接受订货	9808	原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	C4D02120E	CREE	23+	TO-252	20000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	C4D05120A	CREE	1651+	TO-220AC	8500	只做原装进口,假一罚十	询价
上海金庆电子技术有限公司	C4D1204N-A	ElectroswitchInc.	新		41	全新原装货期两周	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	C4D30120D	CREE	24+	SMD	5500	长期供应原装现货实单可谈	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	C4D10120A	CREESCS220KG	25+23+	TO220-2	19791	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳诚思涵科技有限公司	C4D10120D	CREE	18+	TO247	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
深圳市福田区绿盛电子商行	C4D10120D	CreeInc	2018+	TO-247	26976	代理原装现货/特价热卖!	询价
深圳市宝芯创电子有限公司	C4D20120D	CREE	18+	TO-247	29380	进口原装现货	询价

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