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BUL45F	文件：392.6 Kbytes Page：10 Pages	POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 700 VOLTS 35 and 75 WATTS NPN Silicon Power Transistor High Voltage SWITCHMODE™ Series Designed for use in electronic ballast (light ballast) and in Switchmode Power supplies up to 50 Watts. Main features include: • Improved Efficiency Due to: — Low Base Drive Requirements (High and Flat DC Current Gain 文件：392.6 Kbytes 页数：10 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BUL45G	文件：211.44 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Power Transistor NPN Silicon Power Transistor High Voltage SWITCHMODE Series Designed for use in electronic ballast (light ballast) and in SWITCHMODE Power supplies up to 50 W. Features • Improved Efficiency Due to: ♦ Low Base Drive Requirements (High and Flat DC Current Gain hFE) ♦ Low Power Losses ( 文件：211.44 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45_06	文件：120.97 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Power Transistor 文件：120.97 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45D2	文件：227.88 Kbytes Page：11 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor 文件：227.88 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45D2_14	文件：227.88 Kbytes Page：11 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor 文件：227.88 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45D2G	文件：227.88 Kbytes Page：11 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor 文件：227.88 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45G	文件：120.97 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Power Transistor 文件：120.97 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45	文件：300 bytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 700 VOLTS 35 and 75 WATTS	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 5A TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUL45D2	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Bipolar Power Transistor The BUL45D2 is state-of-art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window. • Low Base Drive Requirement\n• High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA\n• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the H2BIP Structure which Minimizes the Spread\n• Integrated Collector-Emitter Free Wheeling Diode\n• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat)\n• \";	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BUL45
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
400
htest：
20000000
atest：
5
wtest：
70

产品属性

产品编号：
BUL45
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
SWITCHMODE™
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 400mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
14 @ 300mA，5V
频率 - 跃迁：
12MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 400V 5A TO220

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