isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 29A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 20mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

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ISC

无锡固电

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件：121.17 Kbytes 页数：12 Pages

PHI

PHI

N-channel TrenchMOS standard level FET

恩XP

SOT1023

NEXPERIA/安世

上传：深圳市拓亿芯电子有限公司

SOT1205

NEXPERIA

安世

上传：深圳市明嘉莱科技有限公司