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BUK7C08-55AITE	文件：716.14 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchPLUS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. The devices include TrenchPLUS current sensing and diodes for ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperature sensing. This product has been 文件：716.14 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BUK7C08-55AITE	文件：313.29 Kbytes Page：15 Pages	TrenchPLUS standard level FET 文件：313.29 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK7C08-55AITE	文件：214.11 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchPLUS standard level FET 文件：214.11 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
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BUK7C08-55AITE	文件：300 bytes Page：1 Pages	BUK7C08-55AITE - N-channel TrenchPLUS standard level FET N-channel TrenchPLUS standard level FET - Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. The devices include TrenchPLUS current sensing and diodes for ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperature sensing. This prod ·AEC-Q101 compliant\n·Allows responsive temperature monitoring due to integrated temperature sensor\n·Electrostatically robust due to integrated protection diodes\n·Low conduction losses due to low on-state resistance\n·Reduced component count due to integrated current sensor;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
55
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
8
型号：
BUK7C08-55AITE
I_D [max] (A)：
75
Package version：
SOT427
Package name：
D2PAK-7
Q_GD [typ] (nC)：
51
Product status：
Production
P_tot [max] (W)：
272
Channel type：
N
Automotive qualified：
Y
Date：
2010-10-15

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更多BUK7C08-55AITE供应商更新时间2025-10-4 13:50:00

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