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BUK7E2R3-40C	文件：727.42 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1Generaldescription StandardlevelgatedriveN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina plasticpackageusingadvancedTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesigned andqualifiedtotheappropriateAECstandardforuseinhighperformanceautomotive applications.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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N-channel TrenchMOS standard level FET

1.1Generaldescription StandardlevelgatedriveN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina plasticpackageusingadvancedTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesigned andqualifiedtotheappropriateAECstandardforuseinhighperformanceautomotive applications.

安世安世半导体(中国)有限公司

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PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

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详细参数

型号：
BUK7E2R3-40C
功能描述：
MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 276A 3pin(3+Tab)
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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