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BUK7E2R3-40E	文件：723.83 Kbytes Page：13 Pages	丝印：BUK7E2R3-40E；Package：I2PAK；N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：723.83 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7E2R3-40E_15	文件：219.16 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：219.16 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
BUK7E2R3-40E	文件：300 bytes Page：1 Pages	BUK7E2R3-40E - N-channel TrenchMOS standard level FET N-channel TrenchMOS standard level FET - Standard level N-channel MOSFET in a SOT226 package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. ·AEC Q101 compliant\n·Repetitive avalanche rated\n·Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n·True standard level gate with VGS(th) rating of greater than 1 V at 175 °C ;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK7E2R3-40C	文件：727.42 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high performance automotive applications. 文件：727.42 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

技术参数

Package version：
SOT226
Package name：
I2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
40
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
2.3
I_D [max] (A)：
120
Q_GD [typ] (nC)：
33.4
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
109.2
P_tot [max] (W)：
293
Q_r [typ] (nC)：
54
V_GSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
6250
C_oss [typ] (pF)：
1210
Date：
2012-09-05

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