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BUK7E04-40A	文件：152.88 Kbytes Page：15 Pages	TrenchMOS standard level FET Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology,featuringverylowon-stateresistance. Productavailability: BUK7504-40AinSOT78(TO-220AB);BUK7604-40AinSOT404(D2-PAK); BUK7E04-40AinSOT226(I2-PAK). Feature	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUK7E04-40A	文件：327.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=198A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUK7E04-40A	文件：800.49 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BUK7E04-40A_15	文件：211.55 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
BUK7E04-40A
功能描述：
MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 198A 3pin(3+Tab)
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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