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BSP322P	文件：281.32 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：281.32 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP322P_11	文件：281.32 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：281.32 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP324	文件：544.94 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：544.94 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP324_09	文件：544.94 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：544.94 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP32	文件：300 bytes Page：1 Pages	80 V, 1 A PNP medium power transistor PNP medium power transistor in a SOT223 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complements: BSP41 and BSP43. • High current\n• High power dissipation capability\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
BSP320S	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SOT-223 封装的 N 沟道小信号 MOSFET 60 V 所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用（2N7002 除外）。 • 增强模式\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 质量符合 AEC Q101 标准\n /* Style Definitions */ table.MsoNormalTable{mso-style-name:\"Table Normal\";mso-style-parent:\"\";line-height:115%;font-size:11.0pt;\"Calibri\",\"sans-serif\";mso-fareast-\"Times New Roman\";}\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP321P	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-100 V，SOT-223 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP32,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 1A SOT223	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

晶体管资料

型号：
BSP32
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_开关管
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
90V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β>40
图片代号：
H-99
vtest：
90
htest：
999900
atest：
1
wtest：
1.5

技术参数

Package name：
SC-73
Size (mm)：
6.5 x 3.5 x 1.65
Polarity：
PNP
Ptot (mW)：
1300
VCEO [max] (V)：
-80
IC [max] (mA)：
-1000
hFE [min]：
10
hFE [max]：
120
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
100
Automotive qualified：
Y

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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