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BSP32中文资料80 V, 1 A PNP medium power transistor数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

BSP32

参数属性

BSP32 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 1A SOT223

功能描述

80 V, 1 A PNP medium power transistor

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Nexperia Nexperia B.V.

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2026-1-31 16:29:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BSP32

  • 别名:

    BSP32三极管、BSP32晶体管、BSP32晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_低频或音频放大 (LF)_开关管

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    90V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    1.5W

  • 放大倍数:

    β>40

  • 图片代号:

    H-99

  • vtest:

    90

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    1.5

BSP32规格书详情

描述 Description

PNP medium power transistor in a SOT223 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complements: BSP41 and BSP43.

特性 Features

• High current
• High power dissipation capability
• AEC-Q101 qualified

应用 Application

• Linear voltage regulators
• High-side switches
• Battery-driven devices
• Power management
• MOSFET drivers
• Amplifiers

技术参数

  • 制造商编号

    :BSP32

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :SC-73

  • Size (mm)

    :6.5 x 3.5 x 1.65

  • Polarity

    :PNP

  • Ptot (mW)

    :1300

  • VCEO [max] (V)

    :-80

  • IC [max] (mA)

    :-1000

  • hFE [min]

    :10

  • hFE [max]

    :120

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • fT [min] (MHz)

    :100

  • Automotive qualified

    :Y

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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