| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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2年
留言
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PHISOT223 |
100000 |
25+ |
原装正品，只做正品 |
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12年
留言
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恩XPSOT223 |
1000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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8年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-223 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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5年
留言
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恩XPSOT223 |
1000 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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1年
留言
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INFINEONSOT-223 |
9035 |
1642+ |
原装正品、支持实单、价优实在 |
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11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
18000 |
26+ |
原装正品,可配单,支持实单 |
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6年
留言
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Infineon/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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Infineon(英飞凌)N/A |
12000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
1000 |
23+ |
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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223 |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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13年
留言
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INFINEONSOT223 |
976000 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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2年
留言
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ST/意法SOT-223 |
100000 |
25+ |
原装正品，只做正品 |
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13年
留言
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INFINEONSOT-223 |
6847 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
1000 |
21+ |
原装进口无铅现货 |
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5年
留言
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INFINEONN/A |
10000 |
23+ |
原装优质现货订货渠道商 |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223 |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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4年
留言
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Infineon(英飞凌) |
25650 |
23+ |
新到现货,只做原装进口 |
BSP32采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BSP32图片
BSP32,115价格
BSP32,115价格：￥1.1374品牌：恩XP
生产厂家品牌为恩XP的BSP32,115多少钱，想知道BSP32,115价格是多少？参考价：￥1.1374。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSP32,115批发价格及采购报价，BSP32,115销售排行榜及行情走势，BSP32,115报价。
BSP324H6327XTSA1中文资料Alldatasheet PDF
更多BSP32 T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BSP32,115功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BSP320制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSP320/1.2M制造商:TE Connectivity 功能描述:CGPT Polyolefin Heatshrink 3.2mm Clear
BSP3201.20M制造商:TE Connectivity 功能描述:CGPT Polyolefin Heatshrink 3.2mm Black
BSP320-1.2M/JAUNE制造商:TE Connectivity 功能描述:CGPT Polyolefin Heatshrink 3.2mm Yellow
BSP320S制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 2.9A SOT223
BSP320S E6327功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSP320S E6433功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSP320S L6327功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 60V 2.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_低频或音频放大 （LF）_开关管
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
90V
- 最大电流允许值：
1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
1.5W
- 放大倍数：
β>40
- 图片代号：
H-99
- vtest：
90
- htest：
999900
- atest：
1
- wtest：
1.5
