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BSP32分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BSP32

参数属性

BSP32 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 1A SOT223

功能描述

PNP medium power transistors

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

43.88 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2026-2-6 15:16:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BSP32

  • 别名:

    BSP32三极管、BSP32晶体管、BSP32晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_低频或音频放大 (LF)_开关管

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    90V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    1.5W

  • 放大倍数:

    β>40

  • 图片代号:

    H-99

  • vtest:

    90

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    1.5

BSP32规格书详情

DESCRIPTION

PNP medium power transistor in a SOT223 plastic package. NPN complements: BSP41 and BSP43.

FEATURES

• High current (max. 1 A)

• Low voltage (max. 80 V).

APPLICATIONS

• Telephony and general industrial applications.

产品属性

  • 产品编号:

    BSP32,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 1A SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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