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BSP321P	文件：537.56 Kbytes Page：9 Pages	丝印：BSP321P；Package：PG-SOT-223；Small-Signal-Transistor Features • P-Channel • Enhancement mode • Normal level • Avalanche rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 • Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：537.56 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP321P	文件：321.75 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor Features • P-Channel • Enhancement mode • Normal level • Avalanche rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 • Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：321.75 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP321P	文件：285.46 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：285.46 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP321PH6327XTSA1	文件：537.56 Kbytes Page：9 Pages	Small-Signal-Transistor Features • P-Channel • Enhancement mode • Normal level • Avalanche rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 • Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：537.56 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP321P_11	文件：285.46 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：285.46 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP321P	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-100 V，SOT-223 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
BSP321PH6327XTSA1
Qualification：
Automotive
Package name：
PG-SOT223-4
VDS max：
-100 V
RDS (on) @10V max：
900 mΩ
QG typ @10V：
9 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
P
Operating Temperature min：
-55 °C
VGS(th) min：
-2.1 V
VGS(th) max：
-4 V
Technology：
SIPMOS™

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