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BSP324	文件：108.2 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 文件：108.2 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP324	文件：176.55 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode) SIPMOS® Small-Signal Transistor • N channel • Enhancement mode • VGS(th) = 1.5 ...2.5 V 文件：176.55 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSP324	文件：544.94 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：544.94 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP324	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal MOSFET 所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用（2N7002 除外）。 • 增强模式\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 质量符合 AEC Q101 标准\n /* Style Definitions */ table.MsoNormalTable{mso-style-name:\"Table Normal\";mso-style-parent:\"\";line-height:115%;font-size:11.0pt;\"Calibri\",\"sans-serif\";mso-fareast-\"Times New Roman\";}\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP324L6327	文件：544.94 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS??Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 文件：544.94 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP324_09	文件：544.94 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：544.94 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
BSP324H6327XTSA1
Qualification：
Automotive
Package name：
PG-SOT223-4
VDS max：
400 V
RDS (on) @10V max：
25000 mΩ
QG typ @10V：
4.54 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
VGS(th) min：
1.3 V
VGS(th) max：
2.3 V
Technology：
SIPMOS™

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