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BSP322P | 丝印:BSP322P;Package:SOT223;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Application Load/Power Switching Interfacing Switching Logic Level Shift 文件:1.54238 Mbytes 页数:4 Pages | TECHPUBLIC 台舟电子 | TECHPUBLIC | |
BSP322P | SIPMOS Small-Signal-Transistor Features • P-Channel • Enhancement mode • Logic level • Avalanche rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 • Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件:316.76 Kbytes 页数:9 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
BSP322P | SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件:281.32 Kbytes 页数:9 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件:281.32 Kbytes 页数:9 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
BSP322P | 20V-250V P-Channel Power MOSFET 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n• 小信号封装,经 AEC Q101 认证\n\n优势:; | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- OPN:
BSP322PH6327XTSA1
- Qualification:
Automotive
- Package name:
PG-SOT223-4
- VDS max:
-100 V
- RDS (on) @10V max:
800 mΩ
- QG typ @10V:
12.4 nC
- Special Features:
Small Power
- Polarity:
P
- Operating Temperature min:
-55 °C
- VGS(th) min:
-2 V
- VGS(th) max:
-1 V
- Technology:
SIPMOS™
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
67048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
询价 | ||
INFINEON |
2025+ |
SOT-223 |
32560 |
原装优势绝对有货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
SOT-223 |
33622 |
INFINEON/英飞凌全新特价BSP322P即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
20+ |
SOT-223 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOT-223 |
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询价 | ||
INFINEON |
2024+ |
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70000 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
SOT223 |
11000 |
国产南科平替供应大量 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
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INFINEON |
23+ |
SOT-223 |
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INFINEON |
23+ |
80000 |
全新原装的现货 |
询价 |
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