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|---|---|---|---|---|
Marking：BSO615N；Package：SOP-8；PRODUCT SUMMARY PRODUCTSUMMARY ID=7A(VGS=10V) VDS(V)=60V RDS(ON) | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 | UMW |
详细参数
- 型号：
BSO615N
- 功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
SIPMOS®
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7998 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
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INFINEON |
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SOP8 |
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INFINEON |
25+ |
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Infineon |
23+ |
SOP8 |
7936 |
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INFINEON |
23+ |
SOP-8 |
4200 |
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INFINEON |
24+ |
SOP8 |
91 |
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INFINEON |
03/04+ |
SOP8 |
5264 |
全新原装100真实现货供应 |
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Infineon |
23+ |
SOP8 |
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Infineon新 |
24+ |
SOP8 |
21322 |
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更新时间2025-7-24 10:08:00
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