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中天科工半导体(深圳)有限公司

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INFINEONNA

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深圳市弘扬芯城科技有限公司

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TECH PUBLIC(台舟)SOT-223

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深圳市坤融电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT-223

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深圳市振鑫微电子科技有限公司

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Infineon(英飞凌)N/A

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深圳市汇莱威科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT223

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INFINEON/英飞凌SOT223-3

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原厂授权代理 价格绝对优势

深圳市欧立现代科技有限公司

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INFINEONSOT-223

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绝对原装现货,价格低,欢迎询购!

深圳市河锋鑫科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT-223

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原装正品 可含税交易

深圳市福田区晶康业电子商行

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INENOISOT223

35400

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全新原装,价格优势

深圳市天芯威科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOT223

25900

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新到现货,只有原装

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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Infineon(英飞凌)N/A

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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市福安瓯科技有限公司

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INFINEONSOT223

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主打品牌可全线订货

深圳市特莱科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT-223

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16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品

深圳市振宏微科技有限公司

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Infineon(英飞凌)NA

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原装正品!假一罚十!

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOT223

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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

深圳市金芯世纪电子有限公司

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INFINEON

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深圳市弘扬芯城科技有限公司

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VBsemi(微碧)SOT-223

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深圳市英博尔电子有限公司

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英飞凌SOT223

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原装优质现货订货渠道商

深圳市得捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOT223

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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市科恒伟业电子有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT-223

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BSP170PH6327XTSA1价格:¥1.4480品牌:Infineon

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BSP170P制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-Channel 60V 1.9A SOT223

BSP170P L6327功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSP170P_09制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor

BSP170PE6327功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSP170PE6327NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

BSP170PE6327NTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

BSP170PE6327T功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSP170PE6327XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

BSP170PH6327制造商:Infineon Technologies AG

BSP170PH6327XTSA1功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal 300mOhms -60V -430mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS(导通):4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel