选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市尚品诚源电子有限公司3年
留言
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INFINEONN/A |
38000 |
20+ |
全新原现 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
9640 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
50 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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INENOISOT223 |
13000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
7906200 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
50 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
50000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
8550 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONSOT223 |
34226 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市钦宇承科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
50 |
15+ |
只做原装/假一赔百 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
7906200 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223-4 |
1000 |
19+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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BSP295H6327XTSA1价格
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更多BSP295制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 1.8A, SOT-223; Transistor Polarity 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 1.8A SOT223
BSP295 L6327功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SMALL SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSP295_07制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSP295E6327功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSP295E6327NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP295E6327T功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSP295H6327XTSA1功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 300mOhm 1.8A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS(导通):4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel
BSP295L6327制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC REEL 1K 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, REEL 1K
BSP295L6327HTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
BSP295L6327T制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:ROHS COMPLIANT, NON DRY, GREEN