| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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Infineon/英飞凌SOT223 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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INFINEONSOT223 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
10880 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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INFINEONSOT223 |
6528 |
2018+ |
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2614 TO261AA |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市中飞芯源科技有限公司1年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
23+ |
原装，可配单 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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Infineon/Infineon TechnologiesSOT223 |
5744 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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INFINEONSOT223 |
5744 |
11+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌NA/ |
5744 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
93664 |
22+ |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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Infineon/英飞凌SOT-223 |
30381 |
08+ |
进口原盘现货/1k |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌SOT-223 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市星佑电子有限公司3年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
22+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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Infineon/英飞凌SOT-223 |
81000 |
1925+ |
真实库存!原装特价!实单必成交! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINE0NSOT-223 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2614 TO261AA |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
BSP295E6327采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BSP295E6327图片
BSP295E6327中文资料Alldatasheet PDF
更多BSP295E6327功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSP295E6327NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP295E6327T功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
