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BSO300N03S

OptiMOS2 Power-Transistor

OptiMOS®2 Power-Transistor Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for notebook DC/DC • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Avalanche rated • dv /dt rated • Qualified according to JEDEC1 for

文件:238.57 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSO300N03S

Low Voltage MOSFETs - OptiMOS? Power MOSFET, 30V, SO8, RDSon = 30mOhm, 7.2A, LL

Infineon

英飞凌

300N03S

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件:1.0072 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

BSP125

223

Infineon

英飞凌

上传:深圳市粤科源兴科技有限公司

BSP129H6327XTSA1

SOT-223

详细参数

  • 型号:

    BSO300N03S

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 5.7A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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INFINEON/英飞凌
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更多BSO300N03S供应商 更新时间2025-12-12 18:30:00