| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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Infineon(英飞凌)N/A |
12000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223 |
12421 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223 |
12421 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223 |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223 |
12421 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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5年
留言
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英飞翎SOT-223 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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Infineon(英飞凌)N/A |
12000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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10年
留言
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INFINEONSOT223 |
28500 |
23+ |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223-4 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223-4 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
9865 |
26+ |
用芯服务,保证每一片都是原装正品 |
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4年
留言
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Infineon(英飞凌) |
25650 |
23+ |
新到现货,只做原装进口 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223-4 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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11年
留言
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INFINEON223 |
1450 |
07+ |
贴片三极管 |
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15年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
20300 |
25+ |
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INFINEON/英飞凌原装特价BSP125即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
8548 |
24+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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BSP125图片
BSP125H6327XTSA1价格
BSP125H6327XTSA1价格:¥1.6081品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BSP125H6327XTSA1多少钱,想知道BSP125H6327XTSA1价格是多少?参考价:¥1.6081。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BSP125H6327XTSA1批发价格及采购报价,BSP125H6327XTSA1销售排行榜及行情走势,BSP125H6327XTSA1报价。
BSP125中文资料Alldatasheet PDF
更多BSP125制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, N, SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N CH MOSFET, 600V, 120mA, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120mA; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):45ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V ;RoHS Compliant: Yes
BSP125 E6327功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSP125 E6433功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSP125 L6327功能描述:MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSP125 L6433功能描述:MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSP125E6327NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP125E6327T制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP125E6433NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

























