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BSO204P	文件：82.26 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS -P Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSP204	文件：65.25 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantenvelope,intendedforuseinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSP204A	文件：65.25 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantenvelope,intendedforuseinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BT204	文件：36.59 Kbytes Page：2 Pages	DC/DCConverters	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BTA204	文件：44.61 Kbytes Page：6 Pages	Threequadranttriacsguaranteedcommutation	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA204	文件：44.07 Kbytes Page：6 Pages	Threequadranttriacshighcommutation GENERALDESCRIPTION Passivatedguaranteedcommutationtriacsinaplasticenvelope,intendedforuseinmotorcontrolcircuitsorwithotherhighlyinductiveloads.Thesedevicesbalancetherequirementsofcommutationperformanceandgatesensitivity.ThesensitivegateEseriesandlogicleve	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA204D	文件：48.48 Kbytes Page：6 Pages	Threequadranttriacsguaranteedcommutation	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA204SB	文件：53.06 Kbytes Page：6 Pages	Threequadranttriacshighcommutation	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA204SD	文件：67.53 Kbytes Page：8 Pages	Threequadranttriacsguaranteedcommutation	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA204WD	文件：69.51 Kbytes Page：8 Pages	BTA204WseriesD,EandFThreequadranttriacsguaranteedcommutation	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
BSO204P
功能描述：
MOSFET Dual P-Channel -20V MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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