20V-250V P-Channel Power MOSFET

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 正常电平、逻辑电平或超逻辑电平\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

OptiMOS P-Power-Transistor

文件：321.74 Kbytes 页数：9 Pages

Infineon

英飞凌

Silicon Diffused Power Transistor

GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high speed switching npn transistor in TO220AB envelope specially suited for high frequency electronic lighting ballast applications.

文件：70.81 Kbytes 页数：7 Pages

PHI

飞利浦

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V(Min.) • High Speed Switching APPLICATIONS • Designed for high frequency electronic lighting ballast applications.

文件：259.209 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电