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BSM200GA120DLC	文件：82.28 Kbytes Page：8 Pages	Technische Information / Technical Information Thistechnicalinformationspecifiessemiconductordevicesbutpromisesnocharacteristics.Itisvalidincombinationwiththebelongingtechnicalnotes.	eupeceupec GmbH 欧派克	eupec
BSM200GA120DN2	文件：208.09 Kbytes Page：11 Pages	IGBT Power Module IGBTPowerModule •Singleswitch •Includingfastfree-wheelingdiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate	eupeceupec GmbH 欧派克	eupec
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BSM200GA120DN2S	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSM200GA120DLC	文件：84.537 Kbytes Page：8 Pages	英飞凌IGBT BSM200GA120DLC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSM200GA120DN2	文件：207.662 Kbytes Page：11 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM200GA120DN2	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSM200GA120DLCHOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 370A 1450W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BSM200GA120DN2HOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 300A 1550W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
BSM200GA120D
功能描述：
IGBT 模块 1200V 200A SINGLE
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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