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BSM100GB120DN2	文件：132.18 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate 文件：132.18 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM100GB120DN2	文件：227.74 Kbytes Page：11 Pages	IGBT Power Module 文件：227.74 Kbytes 页数：11 Pages	eupec	eupec
BSM100GB120DN2	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)	Infineon 英飞凌	Infineon
BSM100GB120DN2K	文件：114.05 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate 文件：114.05 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM100GB120DN2K	文件：313.28 Kbytes Page：10 Pages	IGBT Power Module 文件：313.28 Kbytes 页数：10 Pages	eupec	eupec
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BSM100GB120DN2HOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 150A 800W	Infineon 英飞凌	Infineon
BSM100GB120DN2KHOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 145A 700W	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
BSM100GB120DN2
功能描述：
IGBT 模块 1200V 100A DUAL
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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