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BSC022N03SG	文件：383.79 Kbytes Page：10 Pages	丝印：22N03S；Package：TDSON-8；OptiMOS?? Power-Transistor Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for notebook DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1 for target applications • Logic level / N-channel • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance 文件：383.79 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC022N03	文件：298.84 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for notebook DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1 for target applications • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance 文件：298.84 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC022N03S	文件：298.84 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for notebook DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1 for target applications • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance 文件：298.84 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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BSC027N04LSG	文件：0 bytes Page：0 Pages	TDSON-8	英飞凌/实单必成上传：深圳市拓芯泰电子科技有限公司	英飞凌/实单必成

详细参数

型号：
BSC022N03SG
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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