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BSC032N03SG

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Infineon(英飞凌)原装

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Infineon(英飞凌)NA

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Infineon(英飞凌)NA

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INFINEON/英飞凌DFN-85X6

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INFINEONTDSO8

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INFINEON/英飞凌PG-TDSON-8

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INFINEONTDSON8

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Infineon(英飞凌)N/A

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INFINEONTDSON8

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BSC032N03S

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BSC032N03S

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BSC032N03S G功能描述:MOSFET N-CH 30V 23A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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BSC032N03SG功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSC032N03SGAUMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

BSC032N03SGT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:LEADFREE

BSC032N03SGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP

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