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|---|---|---|---|---|
BSC032N03S | OptiMOS2 Power-Transistor 文件：301.5 Kbytes 页数：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
OptiMOS?? Power-Transistor 文件：380.17 Kbytes 页数：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
丝印：32N03S；Package：TDSON-8；OptiMOS?? Power-Transistor 文件：380.17 Kbytes 页数：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
BSC032N03S | Low Voltage MOSFETs - OptiMOS? Power MOSFET, 30V, SuperSO8, RDSon = 3.2mOhm, 50A, LL | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
OptiMOS™2 Power-Transistor • Fast switching MOSFET for SMPS\n• Optimized technology for notebook DC/DC converters\n• Qualified according to JEDEC1 for target applications\n• Logic level / N-channel\n• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)\n• Very low on-resistance R DS(on)\n• Superior thermal resistance\n• Avalanche ; | Infineon 英飞凌 | Infineon |
详细参数
- 型号：
BSC032N03S
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
OptiMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
QFN |
7000 |
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INFINEON |
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QFN |
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原装现货假一罚十 |
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INFINEON |
23+ |
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5000 |
原装正品,假一罚十 |
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INFINEON |
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NA |
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5000 |
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INFINEON/英飞凌 |
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TDSON8 |
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