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BSC032N03S	文件：301.5 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor 文件：301.5 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC032N03S_09	文件：380.17 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor 文件：380.17 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC032N03SG	文件：380.17 Kbytes Page：10 Pages	丝印：32N03S；Package：TDSON-8；OptiMOS?? Power-Transistor 文件：380.17 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC032N03S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low Voltage MOSFETs - OptiMOS? Power MOSFET, 30V, SuperSO8, RDSon = 3.2mOhm, 50A, LL	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC032N03SG	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS™2 Power-Transistor • Fast switching MOSFET for SMPS\n• Optimized technology for notebook DC/DC converters\n• Qualified according to JEDEC1 for target applications\n• Logic level / N-channel\n• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)\n• Very low on-resistance R DS(on)\n• Superior thermal resistance\n• Avalanche ;	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
BSC032N03S
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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