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BSC032N03SG规格书详情
特性 Features
• Fast switching MOSFET for SMPS
• Optimized technology for notebook DC/DC converters
• Qualified according to JEDEC1 for target applications
• Logic level / N-channel
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• Superior thermal resistance
• Avalanche rated; dv/dt rated
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
应用 Application
• Logic level / N-channel
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• Superior thermal resistance
• Avalanche rated; dv/dt rated
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
技术参数
- 型号：
BSC032N03SG
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
OptiMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
10048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
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INFINEON |
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Infineon/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON |
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Infineon(英飞凌) |
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