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BSC027N06LS5规格书详情
描述 Description
英飞凌的逻辑电平OptiMOS™5功率MOSFET非常适合无线充电,适配器和电信应用。在不损失通态损耗的情况下,器件的低栅极电荷(Q g)可降低开关损耗改进的品质因数允许在高开关频率下操作。此外,逻辑电平驱动器提供低栅极阈值电压(V GS(th)),允许MOSFET在5V的条件下直接从微控制器驱动。
特性 Features
• 低 R DS(on) ,采用小型包装
• 低栅极电荷
• 降低输出电荷
• 逻辑电平兼容
优势:
• 更高的功率密度设计
• 更高的开关频率
• 在可用5V电源的地方减少了部件数量
• 直接从微控制器驱动(慢速切换)
• 降低系统成本
应用 Application
• 无线充电
• 适配器
• 通信
技术参数
- 制造商编号
:BSC027N06LS5
- 生产厂家
:Infineon
- OPN
:BSC027N06LS5ATMA1
- Package name
:PG-TDSON-8
- VDS max
:60 V
- RDS (on) @10V max
:2.7 mΩ
- RDS (on) @4.5V max
:3.9 mΩ
- ID @25°C max
:100 A
- QG typ @4.5V
:24 nC
- Polarity
:N
- Operating Temperature min
:-55 °C
- Operating Temperature max
:150 °C
- Technology
:OptiMOS™ 5
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
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70000 |
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INFINEON |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
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