| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宇集芯电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌PG-TDSON-8 |
163000 |
22+ |
一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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Infineon/英飞凌QFN8 |
69000 |
23+ |
全新原装现货热卖/代理品牌/可申请样品和规格书 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌PG-TDSON-8 |
5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌QFN8 |
109 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳硅原半导体有限公司8年
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INFINEON/英飞凌P-TDSON-8 |
13614 |
2022+ |
全新原装 正品现货 诚信经营 终生质保 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SUPERSO8 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
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INFINEON/英飞凌PG-TDSON-8 |
2000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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INENOITDSON-8 |
3000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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INFINEONNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEOTDSON |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEONQFN |
32970 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌P-TDSON-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌NA/ |
2000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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INFINEONQFN |
100 |
0538+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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infineon/英飞凌NA |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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INFINEONSOP-8 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INFINEONQFN8 |
6528 |
2017+ |
只做原装正品假一赔十! |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌QFN8 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEONP-TDSON-8 |
7650 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
BSC022N03采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BSC022N03图片
BSC022N03SG中文资料Alldatasheet PDF
更多BSC022N03制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS2 Power-Transistor
BSC022N03S功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSC022N03S G功能描述:MOSFET N-CH 30V 28A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSC022N03SG功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSC022N03SGAUMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
BSC022N03SGT制造商:Infineon Technologies AG
BSC022N03SGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP
BSC022N03ST制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
BSC022N03SZT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP
