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BSC027N06LS5

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平在小型封装中提供低 RDS(on)

英飞凌的逻辑电平OptiMOS™5功率MOSFET非常适合无线充电,适配器和电信应用。在不损失通态损耗的情况下,器件的低栅极电荷(Q g)可降低开关损耗改进的品质因数允许在高开关频率下操作。此外,逻辑电平驱动器提供低栅极阈值电压(V GS(th)),允许MOSFET在5V的条件下直接从微控制器驱动。 • 低 R DS(on) ,采用小型包装\n• 低栅极电荷\n• 降低输出电荷\n• 逻辑电平兼容\n\n优势:\n• 更高的功率密度设计\n• 更高的开关频率\n• 在可用5V电源的地方减少了部件数量\n• 直接从微控制器驱动(慢速切换)\n• 降低系统成本;

Infineon

英飞凌

BSC027N06LS5

丝印:027N06L;Package:PG-TDSON-8;OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件:1.14052 Mbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

BSC027N10NS5ATMA1

TDSON-8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市湘达电子科技有限公司

INFINEON/英飞凌

BSC028N06NS

TDSON-8

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市勤尚伟业电子有限公司

BSC028N06NS

QFN

INFINEON/英飞凌

技术参数

  • OPN:

    BSC027N06LS5ATMA1

  • Package name:

    PG-TDSON-8

  • VDS max:

    60 V

  • RDS (on) @10V max:

    2.7 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    3.9 mΩ

  • ID @25°C max:

    100 A

  • QG typ @4.5V:

    24 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • Technology:

    OptiMOS™ 5

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更多BSC027N06LS5供应商 更新时间2026-1-29 23:00:00