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BSC030N03MSG	文件：298.91 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET Features •Optimizedfor5Vdriverapplication(Notebook,VGA,POL) •LowFOMSWforHighFrequencySMPS •100avalanchetested •N-channel •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
NTLUS030N03C	文件：205.44 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET??Power,Single,N-Channel,Cool,UDFN6,1.6x1.6x0.55mm30V,18m,6.9A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLUS030N03CTAG	文件：205.44 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET??Power,Single,N-Channel,Cool,UDFN6,1.6x1.6x0.55mm30V,18m,6.9A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
RHP030N03	文件：68.55 Kbytes Page：4 Pages	4VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RHP030N03	文件：56.79 Kbytes Page：3 Pages	4VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RHP030N03FRA	文件：430.22 Kbytes Page：6 Pages	4VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
TF030N03M	文件：3.50556 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF030N03Musesadvancedtrenchtechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitching	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
TF030N03N	文件：3.41313 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF030N03NusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevariety ofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitching	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG

详细参数

型号：
BSC030N03LS-G
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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