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BSC014N03LS

OptiMOS?? Power-MOSFET

Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • Avala

文件:393.08 Kbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

BSC014N03LSG

丝印:014N03LS;Package:PG-TDSON-8;OptiMOS?? Power-MOSFET

Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • Avala

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INFINEON

英飞凌

BSC014N03LSG

丝印:014N03LS;Package:TDSON-8;OptiMOS?? Power-MOSFET

文件:445 Kbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

BSC014N03MSG

丝印:014N03MS;Package:TDSON-8;OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET

文件:298.24 Kbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

BSC014N03LS G

N 沟道功率 MOSFET

极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6) • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻,小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现,无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;

Infineon

英飞凌

BSC014N03MS G

N 沟道功率 MOSFET

极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6) • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻,小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现,无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;

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详细参数

  • 型号:

    BSC014N03

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 30V 34A OptiMOS3 TDSON8

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更多BSC014N03供应商 更新时间2026-3-16 23:00:00