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BSC014N03LS

OptiMOS?? Power-MOSFET

Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • Avala

文件:393.08 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

BSC014N03LSG

丝印:014N03LS;Package:PG-TDSON-8;OptiMOS?? Power-MOSFET

Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • Avala

文件:393.08 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

BSC014N03LSG

丝印:014N03LS;Package:TDSON-8;OptiMOS?? Power-MOSFET

文件:445 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

BSC014N03LS G

N 沟道功率 MOSFET

极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6) • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻,小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现,无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Package :

    SuperSO8

  • VDS max:

    30.0V

  • RDS (on) max:

    1.4mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max:

    2.1mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID  max:

    100.0A

  • Ptot max:

    139.0W

  • IDpuls max:

    400.0A

  • VGS(th) min max:

    1.0V 2.2V

  • QG :

    47.0nC 

  • Rth :

    0.9K/W 

  • Ciss :

    7600.0pF 

  • Coss :

    2600.0pF 

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
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标准封装
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INFINEON/英飞凌
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INFINEON/英飞凌
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Infineon(英飞凌)
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标准封装
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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INFINEON/英飞凌
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Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
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INFINEON/英飞凌
1303+
TDSON-8
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更多BSC014N03LS供应商 更新时间2025-12-11 9:38:00