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BSC014N03MS G

20V-300V N-Channel Power MOSFET; • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻,小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现,无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗\n;

极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6)\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BSC014N03MSG

OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

RSF014N03

4VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RSF014N03

4VDriveNchMOSFET

■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

BSC014N04LS

英飞凌
N/A

英飞凌

相关企业:深圳市振宏微科技有限公司

英飞凌

技术参数

  • Package :

    SuperSO8

  • VDS max:

    30.0V

  • RDS (on) max:

    1.4mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max:

    1.75mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID  max:

    100.0A

  • Ptot max:

    139.0W

  • IDpuls max:

    400.0A

  • VGS(th) min max:

    1.0V 2.0V

  • QG :

    63.0nC 

  • Rth :

    0.9K/W 

  • Ciss :

    10000.0pF 

  • Coss :

    2600.0pF 

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BSC014N03MS G供应商 更新时间2025-7-30 16:30:00