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BSB008NE2LX	文件：1.51741 Mbytes Page：13 Pages	n-Channel Power MOSFET Features • Optimized for e-fuse and OR-ing application • Ultra low RDS(on) in CanPAK-MX footprint • Low profile ( 文件：1.51741 Mbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSB012NE2LX	文件：1.51047 Mbytes Page：13 Pages	n-Channel Power MOSFET Description OptiMOS™25V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of vol 文件：1.51047 Mbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSB012NE2LXI	文件：1.35083 Mbytes Page：14 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features • Optimized SyncFET for high performance Buck converter • Integrated monolithic Schottky like diode • Low profile( 文件：1.35083 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSB013NE2LXI	文件：1.53057 Mbytes Page：13 Pages	n-Channel Power MOSFET Features • Optimized SyncFET for high performance Buck converter • Integrated monolithic Schottky like diode • Low profile ( 文件：1.53057 Mbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSB104N08NP3	文件：603.54 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-MOSFET Features • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Low profile ( 文件：603.54 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSB104N08NP3G	文件：603.54 Kbytes Page：11 Pages	丝印：0308；Package：MG-WDSON-2；OptiMOS?? Power-MOSFET Features • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Low profile ( 文件：603.54 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSB12SA	文件：256.899 Kbytes Page：2 Pages	60 & 80 WATT AC-DC 1. Cost effective 2. High efficiency 3. Small size 4. Input: 85-132VAC 5. Mountable, 5 ways mounting 文件：256.899 Kbytes 页数：2 Pages	ETA-USA eta-usa	ETA-USA
BSB24HSA	文件：256.899 Kbytes Page：2 Pages	60 & 80 WATT AC-DC 1. Cost effective 2. High efficiency 3. Small size 4. Input: 85-132VAC 5. Mountable, 5 ways mounting 文件：256.899 Kbytes 页数：2 Pages	ETA-USA eta-usa	ETA-USA
BSB008NE2LX	文件：1.52381 Mbytes Page：14 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.52381 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSB008NE2LX_15	文件：1.52381 Mbytes Page：14 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.52381 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

OPN：
BSB013NE2LXIXUMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DirectFET MX (MG-WDSON-2)
VDS max：
25 V
RDS (on) @10V max：
1.3 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
1.8 mΩ
ID @25°C max：
163 A
QG typ @10V：
62 nC
QG typ @4.5V：
30 nC
Special Features：
Monolithically Integrated Schottky-like Diode
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-40 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2 V
Technology：
OptiMOS™

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