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BSB013NE2LXI
厂商型号

BSB013NE2LXI

功能描述

n-Channel Power MOSFET

文件大小

1.53057 Mbytes

页面数量

13

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 8:55:00

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BSB013NE2LXI规格书详情

特性 Features

• Optimized SyncFET for high performance Buck converter

• Integrated monolithic Schottky like diode

• Low profile (<0.7 mm)

• 100 avalanche tested

• 100 R G Tested

• Double-sided cooling

• Compatible with DirectFET® package MX footprint and outline 1)

• Qualified according to JEDEC2) for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

产品属性

  • 型号:

    BSB013NE2LXI

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 25V MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
WDSON
9600
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ADI
23+
MG-WDSON
7000
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WDSON-2
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Infineon/英飞凌
23+
MG-WDSON-2
12700
买原装认准中赛美
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INFINEON
MG-WDSON
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10000
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INFINEON/英飞凌
24+
MG-WDSON
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INFINEON/英飞凌
21+
MG-WDSO
2311
原装现货假一赔十
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