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BFP640_07	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Germanium RF Transistor 文件：154.94 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP640_15	文件：1.36937 Mbytes Page：28 Pages	Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.36937 Mbytes 页数：28 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP640ESD	文件：1.59951 Mbytes Page：28 Pages	Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.59951 Mbytes 页数：28 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP640ESD	文件：1.88251 Mbytes Page：29 Pages	Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor 文件：1.88251 Mbytes 页数：29 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP640ESD_12	文件：1.59951 Mbytes Page：28 Pages	Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.59951 Mbytes 页数：28 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP640F	文件：1.4354 Mbytes Page：28 Pages	Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.4354 Mbytes 页数：28 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP640F	文件：249.33 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Germanium RF Transistor 文件：249.33 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP640F_07	文件：249.33 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Germanium RF Transistor 文件：249.33 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP640F_15	文件：1.4354 Mbytes Page：28 Pages	Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.4354 Mbytes 页数：28 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFP640F	文件：300 bytes Page：1 Pages	低噪声RF 管基 NPN硅锗射频晶体管 • 高增益低噪声射频晶体管\n• 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用\n• 高最大稳定增益：Gms = 23 dB (1.8 GHz)\n• 70 GHz fT-硅锗技术\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Gmax：
27.50 dB @900 MHz
ICmax：
50 mA
NFmin：
0.60 dB @900 MHz
OIP3(@900 MHz)：
25.5 dBm
OP1dB(@900 MHz)：
12 dBm
Ptot：
200 mW
VCEOmax：
4.1 V
Package：
SOT343

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更多BFP640供应商更新时间2025-12-15 14:47:00

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