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BFG520SLASHX	文件：146.15 Kbytes Page：13 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforapplicationsintheRFfrontendintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,pagersandsatelliteTVtuners(SATV)andrepeateramplifiersinfibre-	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG520SLASHXR	文件：146.15 Kbytes Page：13 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforapplicationsintheRFfrontendintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,pagersandsatelliteTVtuners(SATV)andrepeateramplifiersinfibre-	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG520W	文件：154.23 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendwidebandapplicationsintheGHzrang	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG520W	文件：130.66 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BFG520W/X	文件：154.23 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendwidebandapplicationsintheGHzrang	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG520WSLASHX	文件：154.23 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendwidebandapplicationsintheGHzrang	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG520X	文件：281.9 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFM520	文件：96.58 Kbytes Page：10 Pages	DualNPNwidebandtransistor DESCRIPTION DualtransistorwithtwosiliconNPNRFdiesinasurfacemount6-pinSOT363(S-mini)package.Thetransistoris primarilyintendedforwidebandapplicationsintheGHz-rangeintheRFfrontendofanaloganddigitalcellular phones,cordlessphones,radardetectors,pagersan	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFP520	文件：48.56 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forhighestgainlownoiseamplifierat1.8GHzand2mA/2V) NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata •Forhighestgainlownoiseamplifierat1.8GHzand2mA/2V OutstandingGa=20dB NoiseFigureF=0.95dB •Foroscillatorsupto15GHz •TransitionfrequencyfT=45GHz •Goldmetalizationforhighreliability •SIEGET®45-Line	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP520	文件：92.84 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Lownoiseamplifierdesignedforlowvoltageapplications,idealfor1.2Vor1.8Vsupplyvoltage •Commone.g.incordlessphones,satellitereceiversandoscillatorsupto22GHz •Highgainandlownoiseathighfrequenciesduetohightransitfrequ	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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