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BFG540W/X	文件：132.2 Kbytes Page：16 Pages	Marking：N7；Package：SOT-343N；NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MATV/CATVamplifiersandrepeateramplifiersinfibre	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG540W/X	文件：162.31 Kbytes Page：16 Pages	Marking：N7；Package：SOT-343N；NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorsinplastic,4-pindual-emitterSOT343NandSOT343Rpackages. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS Theyareintend	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG540W/XR	文件：162.31 Kbytes Page：16 Pages	Marking：N8；Package：SOT-343R；NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorsinplastic,4-pindual-emitterSOT343NandSOT343Rpackages. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS Theyareintend	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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BFG540X	文件：343.31 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFG540-X	文件：556.92 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis13dB@VCE=8V，IC=40mA，f=0.9GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.8dB@VCE=10V，IC=10mA，f=0.9GHz fT(TYP.):TYP.Valueis9GHz@VCE=8V，IC=40mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

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深圳市龙瀚电子有限公司	BFG540W/X	恩XP	16+	SOT343	3500	原装正品现货供应56	询价
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深圳市利加科技有限公司	BFG540W/X	恩XP	16+	SOT343	30000	全新原装现货	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	BFG540W/X	恩XP	1716+	SOT343	7500	只做原装进口,假一罚十	询价
上海专毅电子科技有限公司	BFG540W/X	恩XP	17+	SOT343	9888	全新原装现货	询价

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