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BFG540W/XR中文资料PDF规格书

BFG540W/XR
厂商型号

BFG540W/XR

参数属性

BFG540W/XR 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V 9GHZ CMPAK-4

功能描述

NPN 9 GHz wideband transistor

文件大小

162.31 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 ROYAL PHILIPS
企业简称

Philips飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-24 8:00:00

BFG540W/XR规格书详情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistors in plastic, 4-pin dual-emitter SOT343N and SOT343R packages.

FEATURES

• High power gain

• Low noise figure

• High transition frequency

• Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

They are intended for applications in the RF front end, in wideband applications in the GHz range such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones (CT2, CT3, PCN, DECT, etc.), radar detectors, pagers, satellite television tuners (SATV), MATV/CATV amplifiers and repeater amplifiers in fibre-optic systems.

产品属性

  • 产品编号:

    BFG540W/XR,135

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 频率 - 跃迁:

    9GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 40mA,8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    120mA

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    CMPAK-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 9GHZ CMPAK-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP
21+
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22+
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