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BFG520SLASHXR	文件：146.15 Kbytes Page：13 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforapplicationsintheRFfrontendintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,pagersandsatelliteTVtuners(SATV)andrepeateramplifiersinfibre-	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG520SLASHXR	文件：316.04 Kbytes Page：14 Pages	NPN 9 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforapplicationsintheRFfrontendintheGHzrange, suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,pagersandsatelliteTVtuners(SATV)andrepeateramplifiersinfibre	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFG520W	文件：154.23 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendwidebandapplicationsintheGHzrang	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG520W	文件：304.75 Kbytes Page：15 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendwidebandapplicationsintheGHzrang	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFG520W	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFG520W	文件：130.66 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BFG520W/X	文件：154.23 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendwidebandapplicationsintheGHzrang	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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