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BFG520WSLASHX	文件：154.23 Kbytes Page：16 Pages	Marking：N4；Package：SOT-343N；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendwidebandapplicationsintheGHzrang	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG520X	文件：281.9 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFM520	文件：96.58 Kbytes Page：10 Pages	DualNPNwidebandtransistor DESCRIPTION DualtransistorwithtwosiliconNPNRFdiesinasurfacemount6-pinSOT363(S-mini)package.Thetransistoris primarilyintendedforwidebandapplicationsintheGHz-rangeintheRFfrontendofanaloganddigitalcellular phones,cordlessphones,radardetectors,pagersan	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFP520	文件：48.56 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forhighestgainlownoiseamplifierat1.8GHzand2mA/2V) NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata •Forhighestgainlownoiseamplifierat1.8GHzand2mA/2V OutstandingGa=20dB NoiseFigureF=0.95dB •Foroscillatorsupto15GHz •TransitionfrequencyfT=45GHz •Goldmetalizationforhighreliability •SIEGET®45-Line	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP520	文件：92.84 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Lownoiseamplifierdesignedforlowvoltageapplications,idealfor1.2Vor1.8Vsupplyvoltage •Commone.g.incordlessphones,satellitereceiversandoscillatorsupto22GHz •Highgainandlownoiseathighfrequenciesduetohightransitfrequ	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP520	文件：341.53 Kbytes Page：4 Pages	TRANZYSTORYNPN [UNITRACEMI] TRANZYSTORYNPN	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BFP520	文件：110.63 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP520	文件：576.27 Kbytes Page：9 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP520F	文件：53.16 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconRFTransistor Productdescription TheBFP520Fisalownoisedevicebasedonagroundedemitter(SIEGET™)thatispartofInfineon’sestablishedfifthgenerationRFbipolartransistorfamily.ItstransitionfrequencyfTof45GHz,highgainandlownoisemakethedevicesuitableforapplicationsupto15GHz.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP520F	文件：69.16 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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更多BFG520WSLASHX供应商更新时间2025-7-17 17:22:00

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